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120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆(fù)業界傳統的(de)低壓MOS製程,大幅降低RDS內阻切換損(sǔn)失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術,將(jiāng)內阻值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃。
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經營產(chǎn)品:碳(tàn)化矽器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖(xiāo)特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS
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