綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝（yì），DG-FET係列具有高速開笑速度，業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於（yú）通過（guò）不斷（duàn）開發新電源（yuán）半導體技術,產品和（hé）創新解決方案,為（wéi）客戶（hù）提供卓越的設計,製造和響應能（néng）力。我們通過滿足其產品特定需（xū）求,為客戶帶來受益的產品（pǐn）。
綠星（xīng）DG100N02PB使用第三代DG-FET工藝，DG-FET係列具有高速開笑（xiào）速度，業界（jiè）傑出的Ron-Crss性能。綠星電子致力於通過不斷開發新電（diàn）源半導體技術,產品和創新解決方案,為客戶提（tí）供（gòng）卓越的設計,製造和響應能力。
綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝，DG-FET係列具有高速開笑速度，業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於通過不斷（duàn）開發（fā）新電源半（bàn）導體技術,產品和（hé）創新解決方案,為客戶提供（gòng）卓越的設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為客戶帶來受益的產品（pǐn）。
Tel: +86-769-21665206
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經營產品：碳化矽器件（jiàn）、IGBT單管、IGBT模塊、肖特（tè）基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS
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