silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有高速開笑速度,業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於通過不斷開發新電(diàn)源半導(dǎo)體技術,產(chǎn)品和創新解決方案,為客戶提供卓越(yuè)的(de)設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為客戶帶來受益的產(chǎn)品。
silicongear使用第三代(dài)DG-FET工藝(yì),DG-FET係(xì)列具有高速(sù)開笑速度,業界傑出的(de)Ron-Crss性能。綠星(xīng)電子致(zhì)力於通過不斷開發新電源半導體技術(shù),產品和創新解決方案,為客戶提供卓越的設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為客戶帶(dài)來受益的產品。
silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係(xì)列(liè)具有高速開笑速度,業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星(xīng)電子致力於通過不斷(duàn)開(kāi)發新電源半(bàn)導體技術,產品和創新解決方案,為客戶提供卓(zhuó)越的設計,製(zhì)造和響應能力。我們通過滿(mǎn)足其產品特定需求,為客戶帶(dài)來受益的產品。
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