綠星(xīng)MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有高速開笑速度(dù),業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力(lì)於通過不斷開發新電源半導體技術,產品和創(chuàng)新解決方案,為客戶(hù)提供卓越的設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為客戶帶來(lái)受益的產品。
綠星MOSDG100N02PBTO-220ABsilicongear使(shǐ)用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有高速開笑速度,業(yè)界傑出(chū)的Ron-Crss性能。綠星電子致(zhì)力於(yú)通(tōng)過(guò)不斷開發新(xīn)電源(yuán)半導體技術,產品和創新解(jiě)決方案,為客戶提供卓越的設計,製造(zào)和響應(yīng)能力。我們通過(guò)滿足(zú)其產品特定需求(qiú),為客戶帶來受(shòu)益的產品。
綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係(xì)列具有高(gāo)速(sù)開笑(xiào)速度,業界傑出的(de)Ron-Crss性能。
綠星(xīng)電子致(zhì)力於通(tōng)過不斷開發(fā)新電源半導體技術,產品(pǐn)和創新解決方案,為客戶提供卓越的設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為客戶帶來受益的產品。
Tel: +86-769-21665206
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經營產品:碳化矽器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超(chāo)結MOS
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