采（cǎi）用第三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。由於具有（yǒu）緩（huǎn）衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴（líng）。RDS（on）導通電阻比其他同類元（yuán）件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少（shǎo）50%20V至250V規格，可在（zài）各式電（diàn）源（yuán）與電機驅動中（zhōng）實現更高效率。
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