LSD65R650GMB

龍騰半導體LSD65R650GMB功率MOSFET產品介紹
產品（pǐn）概（gài）述

LSD65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出的一款高性能N溝（gōu）道功率MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術製造。該產品屬於龍騰半導體（tǐ）650V高壓MOSFET係（xì）列，專為高效率電源轉換（huàn）應用而設計。

技術參數（shù）
參數名稱 參數值（zhí） 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額（é）定（dìng）值
連（lián）續漏極（jí）電流(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導（dǎo）通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大（dà）功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式 TO-220F 符合行業標準
技術類型（xíng） 超結VDMOS Super Junction技術

注：以上參（cān）數基於類似型號（hào）LSD65R650HT的技術規格整理，建議聯係龍騰半導體獲取LSD65R650GMB的精確參數。

產品（pǐn）特點

高效率設計‌

采用超結(Super Junction)技術，顯著降低導通電（diàn）阻
相（xiàng）比傳統平麵MOSFET，導通損耗（hào）降低約22.3%
優化的（de）柵極電荷特性（xìng），減少開關（guān）損耗

高可靠性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保規範，無鉛無鹵素
優化的熱設計，提高高溫工作穩定（dìng）性

應用友好性‌

標準TO-220F封裝，便於安裝和散熱設計
與行（háng）業主流MOSFET引腳兼容
簡化電路設計，降低係統成本
應用領域

LSD65R650GMB適（shì）用於多種高（gāo）效（xiào）率電（diàn）源轉換場景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適配器、PD快（kuài）充
計算機 服務器電源（yuán）、PC電源
工業電子 開關電源、工業電源
新能源 光伏逆變器輔助電源（yuán）

特別適（shì）用（yòng）於需要高效率、高功率密度（dù）的電源設計場景。

技術優（yōu）勢

與傳統（tǒng）平麵（miàn）MOSFET對（duì）比‌

克服了導（dǎo）通電阻隨擊穿電壓急劇增大（dà）的缺點
保持（chí）輸（shū）入阻抗高、開關速度快的（de）特點
顯（xiǎn）著提升係統整（zhěng）體效率

與常規超結MOSFET對比‌

優化的內部電場分布設計
增強的耐壓能力和（hé）可靠性
改進的開關特性，降低EMI幹擾

市場定位（wèi）‌

填補（bǔ）國（guó）產高端功率（lǜ）半導體（tǐ）器件空白
在650V高壓應用中具有競（jìng）爭優勢
性價（jià）比優（yōu）於同類進口產品
使用建（jiàn）議

電路設計注意事項‌

建議工作電壓不超過520V，留足設（shè）計餘量（liàng）
柵極驅動電阻推薦值10-22Ω，平（píng）衡（héng）開關速度與EMI
確保良好的散熱條件，建議使用散熱片

典型應用電路‌

適用於反激式、正激式等開關電（diàn）源拓撲
可與PWM控製器如L6565等配合使用
在LLC諧振轉換（huàn）器中表現優異

可靠性保障‌

避免超過（guò）最大（dà）額（é）定參數（shù）使用
注意PCB布局，減少寄生參數影響
建議進行老化測（cè）試驗證長期可靠性
製造商背景

龍騰半導體有限公司（sī）是一家專注於新型功率（lǜ）半（bàn）導體器件研發的高新技術企業，通過ISO9001-2015質量體係認證。公司在功率半導體領域擁有83項（xiàng）專利，並（bìng）參與製定了超結功率MOSFET國家行業標（biāo）準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品（pǐn）線涵（hán）蓋超（chāo）結MOSFET、IGBT、快恢複二極管等多個係列，廣泛應用於消費電子、工業電源、新能源汽車等領域。龍騰半導體建有國內一（yī）流的研發中心和應用測試實（shí）驗室，持續推動功率半導體技術創新。