VDMOSFET（平麵MOS）全稱（chēng）垂直型雙擴散金屬氧化（huà）物半導體場效應晶（jīng）體（tǐ）管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它具有（yǒu）高輸入阻抗，開關速度快，熱穩定性好等優點，同時具有正溫度係數（shù）和良好的電（diàn）流自調（diào）節能力。

維安VDMOS的產品優勢及特點（diǎn）

在VDMOSFET的設計中，維安重點優化耐壓和（hé）導通電阻的矛盾，提高耐壓並兼顧低導通電阻；同時降低Qg及開關損（sǔn）耗。維安VDMOSFET通過優化設計提高雪崩耐量、拓（tuò）寬安全（quán）工作區（qū）進而提高通用（yòng）性和耐用（yòng）性。針對工業控（kòng）製等高可靠應（yīng）用場景，維安開發高質量（liàng）的氮化（huà）矽鈍化層工藝，顯著（zhe）提高器件的可靠性。

依（yī）托維安成熟的電（diàn）源（yuán）及工業控製客戶群，維（wéi）安開發（fā）了200V-1500V的VDMOSFET產品，電流涵蓋2A~40A，封裝（zhuāng）涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等；

VDMOS被（bèi）廣泛應用於適配器、LED驅動電源、TV電源、工業控（kòng）製、電機調速、音（yīn）頻放大、高頻振（zhèn）蕩器、不間斷電（diàn）源、節能燈、逆變器等各個領域。

維安MOS管-功率半導體（tǐ）作為電力係統的重要組成（chéng）部分，是提（tí）升能源效率的決定性因（yīn）素之一。未來（lái）維安會結（jié）合客（kè）戶應用開發更多的VDMOS新規格（gé）、新封裝；比如（rú）高壓300V，400V快恢複係列等規格。為客戶提供更多選擇，以在高性能（néng）效率轉換、高可靠應用場合實現（xiàn）效率、功率密度和可靠（kào）性的最佳組合。