6月13日（rì），上海證券交易（yì）所受理了蘇州鍇（kǎi）威特半導體股份有限公司（簡稱：鍇威特）的科創板上市申請。

據（jù）了解，鍇威（wēi）特主要從事功率半導體的設計、研發和銷售，並（bìng）提供相關技術服務（wù）。公司堅持“自主創芯（xīn），助力核心芯片（piàn）國產化”的發展定（dìng）位（wèi），主要產品包含功率器件及（jí）功率IC兩大類。

在功率（lǜ）器件方麵，公司產品以高壓平麵MOSFET為主，並（bìng）在平麵（miàn）MOSFET工（gōng）藝平（píng）台基（jī）礎上設計研發了（le）集（jí）成（chéng）快（kuài）恢複（fù）高壓功率MOSFET（FRMOS）係（xì）列產品；在功率IC方麵，公司專注（zhù）於功率驅動IC和電源管理IC。此外，在第三代（dài）半導體方麵，公司的SiC功率器件已小批量出貨。

通過自主創新和技術沉（chén）澱，公司已同時具備功率器件和功率IC的（de）設（shè）計、研發能（néng）力（lì）。公司（sī）掌握了（le）功率半導體芯片的前端設計技術和特色晶圓製造工藝，現已搭（dā）建多個功率半導體（tǐ）細分產品的技術平台。

憑借高性能的產品，蘇州鍇威特半導體在行業內形成（chéng）了較強的市場競爭力（lì）。結合Omdia研究數據（jù），以發行人2020年MOSFET產品銷售額測算，蘇州鍇威特半導體全球MOSFET市場的市場份額約為0.23%；另（lìng）根據（jù）江蘇省（shěng）半導（dǎo）體行（háng）業協會統計（jì），2020年蘇州鍇威（wēi）特（tè）半導體FRMOS產品的國內市場占有率約為（wéi）6%，位列本土企業第四位；SiC功率器件方麵，公司是國內為數不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企業之一（yī），產品已覆蓋業內主流電壓段。

三年間經營業績穩步增長

近（jìn）年來，隨著消費電子、工業控製、新能源汽車市場的高速成（chéng）長，推動鍇威特的功率半導體業務（wù）持續發展。

公司堅持在高可靠領域芯片國產化替代的戰略方（fāng）向，洞察市場需求（qiú）導向，進行自主研發和創新，將科技成果與（yǔ）產業深度融合。憑（píng）借自主研發的高性（xìng）能產品，鍇威特也與（yǔ）多家高可靠領域客戶建（jiàn）立了合作關係。

截至（zhì）目前，鍇威特已擁有（yǒu）包括平麵（miàn）MOSFET、功率（lǜ）IC等近700款產品（pǐn）。憑借產品可靠（kào）性高、參數一致性好等特點，公司迅速在細分領域打開市場，產品廣泛應用於消費電子、工業控製及高（gāo）可靠領域，客戶包括以（yǐ）晶豐明源、必易微、芯朋微、燦瑞科技為代表的芯片（piàn）設計公司及多家高可靠領域（yù）客戶，並且產品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等終（zhōng）端客戶所采用。

具（jù）體來看，在功（gōng）率器件（jiàn）方麵，公司已同時具備矽基及SiC基功率器件的設計、研發能力，積累了多項具有原創性和先進性的（de）核心技術，其中3項（xiàng）達到國際先進水平，1項達到國內領先水平。

其中，在平麵MOSFET方麵，公司核心技術具體包括“高可靠性元胞結構”“新型複合（hé）終端（duān）結構及實現工藝技術”等。其中，公司利用“高壓（yā）MOSFET的少子（zǐ）壽（shòu）命控製及工藝實現技術”研發並量產的FRMOS產品具有反向恢複時間短、漏電流（liú）小、高溫（wēn）特性好、反向（xiàng）恢複特性較軟（ruǎn）、低電磁（cí）幹擾（rǎo）的優勢特性；在第三代半導體器件方麵，公司（sī）利用掌握的“短溝道碳（tàn）化矽MOSFET器件係列產品溝道控製及其製造技術”實現了SiCMOSFET穩定的性能和優良的良率控製。上述核心技術有效提升了公司（sī）產品性能指標，增強了產品市場競爭（zhēng）力。

蘇州鍇威特（tè）半導體股份有限公司近（jìn）三年財務數據

在功率（lǜ）IC方麵，公司基於0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工藝設計平台，完（wán）成了多款功（gōng）率IC所（suǒ）需（xū）的IP設計與驗證，並基於已驗證的IP成功開發（fā）了近40款功率IC產品；公司自主研發了“一種全電壓範圍（wéi）多基準電壓同步調整電路及高（gāo）精準過壓保護電路”“一種輸入失調（diào）電壓自動修正電路”等核心技術，有效提升了產品參數一致（zhì）性，增強了產品可靠性。

憑借強有力的產品線，鍇威特（tè）近三年的主營業務收入也迎來持續的增長。從2019-2021年，公司主營業務收（shōu）入分別為10,575.54萬元、13,383.49萬元和20,318.15萬元（yuán），2020年和2021年同比分別增（zēng）長26.55%和51.82%。其中，平麵MOSFET為公司實現大（dà）規模銷售（shòu）的主要產品，該產品收入占主營業（yè）務收入的比例分（fèn）別為（wéi）86.71%、88.39%和83.07%。

募資約5.3億元（yuán）投建三（sān）大功率半導（dǎo）體等項目

招股書顯示，鍇威特（tè）此次IPO擬（nǐ）募資約5.3億元，投建智能功率半導體研發升級項目、SiC功率器件研發升級（jí）項目、功率半導（dǎo）體研（yán）發工程中心（xīn）升級（jí）項目，以及用於補充營運資金。

圖源：蘇州鍇威特半導體股份（fèn）有限公司招股書

其中，智能功率（lǜ）半導體（tǐ）研發升級項目主要涉及公（gōng）司的主（zhǔ）營（yíng）產品功率器件、功率IC、IPM、光（guāng）繼電器（Photo MOS）等係列產品的技術升級、工藝製程優化及部分新（xīn）品類的（de）研發及規（guī）模化量產。其中，功率器件主要包括高可靠性高壓平麵MOSFET（包括 FRMOS）、第三代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品；功率 IC 包括（kuò）高（gāo）壓高速（sù）柵極驅動 IC、高功率密度電源管理IC 產品。

該項目實施旨在繼續加強公司在功率半導體產品的技術積澱（diàn），保持（chí）在功率器件、功率 IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產品（pǐn）的領先優勢，挖（wā）掘高性能智（zhì）能功率半導體的發展潛力，打造全係列產品（pǐn）的技術創新平（píng）台，致力於成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應（yīng）商。

而SiC功率器件研發升級項（xiàng）目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工（gōng）藝優化、器件升級及SiC功率模塊的規（guī）模化（huà）量產。

在SiC功率器件方麵，一是SiCMOSFET、SiCSBD由（yóu）4寸晶圓升級到6寸（cùn）晶圓的研製；二是在SiCMOSFET基礎上開發集（jí）成SBD器件，開發出650V和1200V的SiCSKMOS。

在SiC功（gōng）率模塊方（fāng）麵，包括（kuò）SiCSKMOS功率模（mó）塊和集成功率驅動的SiCSKMOSIPM智能功率模塊的研發。SiC功率（lǜ）器件及SiC功率模塊的（de）研發、規模化量產及銷售，可以有效豐富公司產品品類，擴大產品的應用範圍，提高公司（sī）SiC產品（pǐn）的供貨能力，從而提高公司盈利水平。

功率半導體研發工程中心升級項目將對功率器件和模塊封裝可靠性、SiC高溫封（fēng）裝（zhuāng）、應用、基於 SiC MOSFET 製（zhì）作（zuò）光繼電器（Photo MOS）以及數字電源進行（háng）持續深入研究。該項目基於公（gōng）司現（xiàn）有（yǒu）技術進行了前瞻性布局，有利於提升公司的技術（shù）創新能（néng）力，進一步豐富技術儲備。項目的（de）實施一方麵（miàn）可以推動公司現有產品（pǐn）的優化升級，提升公司產品附加值；另一方麵可以（yǐ）推動研發（fā）成果的成功轉化，有助於豐富公司的產品種類，開拓新的產品應用領域，增強（qiáng）公司的（de）盈利能力。

此外（wài），在器件可靠性考（kǎo）核與測試應用能力方麵（miàn），隨著可靠性實驗室及測試應用中心的建設，公司通過購置先進的測試設備，有利於完備（bèi）公司可靠性考核能力，有助於提高產品良率，提升出廠產品的質量（liàng），更好的滿足和服務於工業級及高可靠（kào）領（lǐng）域客戶對產品品質的需求，同時，也使得（dé）公司具備完善的測試評價平台，並能夠有效製（zhì）作產品應用方案，指導客戶更好（hǎo）的使用公司（sī）產品，從而有利於產（chǎn）品的市場推廣。

未來，公司將繼續專注於（yú）功率半導體（tǐ）的設計、研發與銷（xiāo）售，堅持“自主創芯，助力核心芯片國產化”的發展定位，聚焦消費電子、工業控製和高可靠領域，在新能（néng）源汽車、光（guāng）伏能源、軌（guǐ）道交（jiāo）通、智能電網等領域（yù）展開布局；在（zài）目前掌握（wò）的核心技術基礎上（shàng），展開產品（pǐn）係列化及下遊市場的進一步拓展、延伸。