龍騰半導體的多層外延產品主要包括超結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。這些產品采用了（le）先進的多層外延工（gōng）藝，這是一種在矽襯（chèn）底上（shàng）通過多次摻雜和熱推（tuī）進（jìn）來生長多層摻雜不同的外延（yán）層的技術。這（zhè）種工藝可以實現高電壓（yā）承受能力和低導通電阻的特性，使得超結（jié）MOSFET非常適合用於需要高效能功率管理的應用場（chǎng）景。

超結MOS工藝介紹

多層外延工藝 (Multi-EPI)

• 開發背（bèi）景：多層（céng）外（wài）延工（gōng）藝是較早被開發出來的（de）、較為成熟的超結MOS製造技（jì）術。

• 工藝特點：

  • 基於平麵矽生長技術（shù）。

  • 通過在外延生（shēng）長過程中形成多個PN結來構建超結結構。

  • 具有更高的電壓承（chéng）受（shòu）能力以及更低的導通電阻。

  • 相比傳統SuperJunction技術，能夠（gòu）進一步降低（dī）生產（chǎn）成本。

• 優點：

  • 在漏電控製、高溫可靠性及（jí）長期可靠性方麵表現優異。

  • 動態特性優良，因（yīn）為整個外延過程基於（yú）平整界麵生長，減少了外（wài）延位錯缺陷。

• 缺點：

  • 製備工藝相對複雜，導致成本（běn）較高。

  • 光刻控製難度較大。

深溝槽工藝 (Deep-Trench)

• 工藝特（tè）點（diǎn）：

  • 一種更為巧妙且相對簡（jiǎn）單的實（shí）現（xiàn）超結技術的方法。

  • 首先通（tōng）過外（wài）延設備（bèi）生長一層（céng）幾十微米厚的外延層。

  • 然後利用深槽刻蝕設備雕刻出高寬比（bǐ）很大的溝槽，並通過外延方式填充該溝槽以形成P柱結構（gòu）。

• 優點：

  • 工藝簡單，成本較低。

  • 減少了晶體缺陷，從而（ér）提（tí）高了產品的可靠性和穩定性。

• 缺點：

  • 溝槽側邊與底部蝕刻形貌難以精確控製至平滑狀態（tài）。

  • 在深寬比大的情況下，外延填充時容（róng）易在（zài）溝槽底（dǐ）部產生不規則（zé）空洞，影響芯片長期工作時的可（kě）靠性。

  • 由於界麵接近突變結，動態特性相對較差，在應用中可能麵臨一定挑（tiāo）戰。

這兩種工藝各（gè）有優劣，選擇哪一種取決於具體的（de）應用需求、製造工藝的可行性以（yǐ）及（jí）其（qí）他因素如成（chéng）本考量等。對於追求高性（xìng）能但預（yù）算有限的情（qíng）況，深溝槽工（gōng）藝可能是更經濟的選擇；而對於那些對（duì）器件性能有著極（jí）高要求的應用，則可（kě）能會傾向於（yú）采用多層外延工藝。龍騰半導體提（tí）供的超結MOSFET產品線涵蓋了多種規格和技術參數，適（shì）用於新能源汽車、充電樁、通信電源等（děng）多（duō）個領域。

以（yǐ）下為龍（lóng）騰650V 多層（céng）外延（yán）產品具體規格：