Coolmos過EMI電磁幹擾的控製手段

SEMIHOW利用多層（céng）外延工藝實現的COOLMOS產品助力工程師對（duì）產品（pǐn）的小型化設計,並解決EMI,EMC測試不好通過的問題。

多層外延工藝，通過（guò）優化（huà）內部的電容和電（diàn）阻來減少EMI電磁幹擾的噪聲，最大限度的平衡電磁幹擾和效率，提高產品（pǐn）穩定性。

電磁幹擾EMI相對（duì）於其他友商（shāng）減少3-5個DB的規格，更容易通過EMI測試。較其他公司（sī）使用（yòng）的（de）溝槽超級結工藝，這些（xiē）多層外延的（de）MOSFET實（shí）現了前所未有的性能改進。

諸如智能手機（jī）和平板（bǎn）電（diàn）腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁幹擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益於此優勢。

此外，CoolMOS支持（chí）針對小體積PD電源，電（diàn）視適（shì）配器、照明、音（yīn）響和輔助電源的快速開關和（hé）高功率密度設計。

目（mù）前推出的量產品種包含（hán）600V~900V的電壓係列，同時為您帶來（lái）包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇，可支持纖巧型設計。

SemiHow的總部位於韓國，擁有先進的半導體技術，基於中國和中國先進半導體（tǐ）技術的高質（zhì）量（liàng）生產。

以中國公司的牢固合作夥伴關係為基礎。具有獨特競爭能（néng）力（lì），並（bìng）且（qiě）主要專注於中（zhōng）國市場。