MOSFET的（de）基本工作原理
對MOSFET(金屬氧化物半導體（tǐ）場效應晶體（tǐ）管）的基本結（jié）構，要理解MOSFET的功能，或許要（yào）首（shǒu）先研究一（yī）下半導體表麵。
由於缺乏相鄰的原子，某種半導體的表麵總是其理想晶（jīng）格的一種被擾亂的（de）形態。因此（cǐ），表麵常常會生長一（yī）層薄的氧化層或吸附一些（xiē）其他原子和（hé）分子。於是，這些表麵層通（tōng）常會帶電。
以一種（zhǒng）p型半（bàn）導體為（wéi）例，假定其表麵帶正電對少量正電荷可得在這種表麵（miàn），空穴的濃度／密度逐漸降低（dī），其導帶（dài）和價帶同時向下（xià）彎曲，建立起一個厚度（dù）為hd的耗盡區。
增大正電荷量將導致（zhì）I qVs I > E; - EF
在這種情況下，導帶和價帶彎曲（qǔ）得更加厲害，對於半導體表麵處的一個較小區（qū）域，費米能級更加靠近導帶而不是價帶，從而形成一個厚度為h的（de）反型層，在（zài）反型層中電（diàn）子是多（duō）數載流子。
緊挨著反型層的是厚度為h.的耗盡層，耗盡層把反（fǎn）型層和P區隔開。
如果該p型半（bàn）導體表麵帶負電，所形成的將是空穴累積層。N型半（bàn）導體（tǐ）的特性（xìng）與之相似：表麵帶正電時形成累積層，表麵帶負電時（shí）形成耗盡區負電荷增多則形成反型層。
接下（xià）來，假定在此p型半導體（tǐ）的表麵有一層薄氧化膜，氧化（huà）膜上再鍍一層金屬膜。在這層金屬膜上施加（jiā）一個正向電壓。進一步再添加兩個n+區分別作為源區和
漏區（qū）。這樣，我們（men）就（jiù）有了一個最（zuì）簡單的橫向MOS場效應晶體管的例子。正向（xiàng）電壓的作用（yòng）和正表麵（miàn）電荷的作用（yòng）相同（tóng）：當柵極上有足夠大的正電壓，兩個
n區就會（huì）通過反型層連接起來。由於柵壓Vc>VT,漏極和源極之間才有電（diàn）流通過。
柵源閾值電壓Vr(對n溝道（dào） MOSFET):該閾值電壓是（shì）這樣一個柵極電壓，在此電壓下產生的電子濃（nóng）度等於空穴濃度。
MOS場效應晶體管可分為
1)n溝道MOSFET:在p區形成一個n型溝道。
2)p溝道 MOSFET:在n區（qū）形成一個p型溝道。
仔細（xì）探查，必須考慮到氧化層在靠近（jìn）半導體的界麵上含有正電荷。這些電荷的密度在5x10°~1x101/c㎡數量級。而且，功率MOSFET的（de）柵區由n型重摻雜多晶矽層組成),由於n*摻雜多晶矽和p型半導體（考慮n溝道MOS-
FET)中（zhōng）費米能級的位置不（bú）同，柵極和半導體之間已（yǐ）經存在了（le）一個電勢差。這兩種效應（yīng）都以相同（tóng）的方式起作用，猶如一個外施正（zhèng）柵極電壓，從而導致閾值電壓V,降低。n溝道（dào） MOSFET在p區低摻雜和氧化層電荷密度高的情況下，V是負的，甚（shèn）至沒有外
加柵（shān）極電壓，溝道也會存在。上麵（miàn）所提到的閾值電（diàn）壓的定義仍然是有效的。
MOSFET 可根據柵極電壓分為
1)耗（hào）盡型（xíng）：V<0,該（gāi）器件為常開器件，在柵源加負電壓vc
2)增（zēng）強型：Vπ>0,n溝道隻在Vc>Vr時才會形成（常關器件（jiàn））。
通常情況下，由於具有常關特點，電力電子技術中使用的是增強型MOSFET器件，而且幾乎都是n溝道MOSFET.由於電子的遷移率遠遠高於空穴的遷移率（lǜ），n溝道MOSFET器件（jiàn）更有優勢。現代器件閾（yù）值電壓的典型值被調整到2~4V。
