MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型（xíng）場效應管，屬於場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場（chǎng）效應管。在一（yī）般電子電路中，MOS管通（tōng）常被用於放大電路或開關電路（lù）。

三極管和MOS管的原理並不複雜，但是分開講述細節，反而不如對比起來容易理解。這裏用一張（zhāng）圖（tú），讓您輕鬆（sōng）理解MOS管（guǎn）和（hé）三極（jí）管的工作原理。

一張圖對比MOS管（guǎn）及三極管的工作（zuò）原理

這裏以NMOS和NPN三（sān）極管為（wéi）例，並且以電子流（liú）（而非電流）方向為主來說明。

一、符號

MOS管一般可以簡化為三個極，分別是柵極（jí）（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控製型器件，用柵極電壓來控製源漏的導通情況；

BJT三極（jí）管有三個極，分別是基極（B）發射極（E）和集電極（C），三極管是電流控製型器件，用基極電（diàn）流來（lái）控製發（fā）射極與集電極的導通（tōng）情況；

二、截止區

NMOS管的如果柵壓小於閾值電壓，MOS管（guǎn）相當於兩個背靠背的（de）二極管，不導通；NPN三極管也一樣，如果（guǒ）偏壓小（xiǎo）於閾值電壓，也相當於兩個背靠背的（de）二極（jí）管，不（bú）導通；

三、線（xiàn）性區

NMOS如（rú）果柵上加正電壓，就會在其下感應出相反極性的負電荷，從而產生N型溝道，使源（yuán）漏導通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓（yā）高（gāo）一點，產（chǎn）生（shēng）的溝道就寬（kuān）一點，導（dǎo）通能力就大一點，這就是線性區。

NPN管如（rú）果BE結加正向偏置導通（tōng），電子就會進（jìn）入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外，它們有兩個地（dì）方可以去（qù）：一（yī）個是從基（jī）極流（liú）出（chū），一個（gè）是（shì）被集電（diàn）極（jí）更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集（jí）到的電子就會越多，這也是（shì）線（xiàn）性（xìng）變化的。

四、飽和區（qū）

NMOS在漏極電（diàn）壓比較高時，會使溝道夾斷，之後即（jí）使電壓升高，電流不會再升高，因此叫做飽和區；

NPN三（sān）極管在集電極電壓比較高時，也會幾乎（hū）全部收集到從（cóng）發射極過來的電子，電壓再升高也沒有（yǒu）辦法收集到更多，也是它的飽和區。

五、電（diàn）流電壓曲線

在線性（xìng）區，隨著電壓升高，源漏電（diàn）流或集電極電流上升（shēng）。而在飽和區電壓升高，電（diàn）流（liú）基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。