肖特基二極管（guǎn）是（shì）以其發明人肖（xiāo）特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘（lěi）管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的（de）簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原（yuán）理製作的，而（ér）是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作（zuò）的。那麽下來帶大家了解一下肖特基二極管的原理。
肖特基二極（jí）管是貴（guì）金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體（tǐ）B為負極，利用兩者接觸麵上形成的勢壘具有整流器（qì）特性而做成的金屬（shǔ）-半導體器件。因為N型半導體中存在著大（dà）量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電荷，所以（yǐ）電子（zǐ）便（biàn）從濃度值高的B中向濃度值低（dī）的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴（xué），也就不會有空穴自A向B的擴散運動。
隨著電（diàn）子不斷從B擴散到A，B表麵電子濃度值慢慢（màn）降低，表麵電（diàn）中（zhōng）性被破壞，因此就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用下，A中的電子也會產生從A→B的飄移運動，進（jìn）而消弱了由於擴散（sàn）運動而形成的電場。當創建起一定寬（kuān）度的空間電荷區後，電場引起的電子（zǐ）漂移運動和濃度值不同引起的電子擴散運動達到相（xiàng）對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基（jī）整流（liú）管的內部電源電路結構是以N型半導體為基片，在上麵形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬（mù）或鋁等材料做成阻檔層。用二氧化矽（guī）（SiO2）來清除邊沿區（qū）域的（de）電場，提高（gāo）管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃（nóng）度值較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻
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