肖特基二極管是（shì）以其發（fā）明者肖特基博士的名字命名的，SBD是（shì）肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體（tǐ）和N型半（bàn）導體接觸形成PN結的原理（lǐ），而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體（tǐ）結（jié）的原理。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接（jiē）觸)二極管或表（biǎo）麵勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半（bàn）導體器件。)A作為正電極，N型半（bàn）導體B作為負電極，並利用在兩者的接觸表（biǎo）麵上形成的勢壘的（de）整（zhěng）流特性。因為在N型半導（dǎo）體中有大量的電子，而在貴金屬中隻有非（fēi）常少量的自由電子，所以電（diàn）子從高濃度的B擴散到低濃度的（de）A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著（zhe）電子繼續從B擴散到A，B表麵上的電（diàn）子濃度逐漸降低，表麵的電中性被破壞，從而形成電場方向為B A的勢壘。然而，在該電場的作用下，A中的電子也將產生從A到B的漂移運動，從而削弱由（yóu）擴（kuò）散運動形成（chéng）的電（diàn）場。當建立一定寬度的空間電荷區時，電（diàn）場引起的電子漂移運動和不同（tóng）濃度（dù）引起的電子擴散運動（dòng）達到（dào）相對（duì）平衡，從而（ér）形（xíng）成肖特基勢壘。
典型的肖特基（jī）整流器的內部電路結（jié）構基於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的（de）N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以形成阻擋（dǎng）層。二氧化矽(二（èr）氧（yǎng）化矽)用於消除邊緣區域的（de）電場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通電阻，並且其摻雜濃度比H層的（de）摻雜濃度高100%。在襯底下（xià）麵形成一個氮（dàn）陰極層，以降低陰極的接觸電（diàn）阻。如圖所示，通過調整結構參數，在N型襯底和陽極金屬（shǔ）之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，並且（qiě）N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內部電阻變得更小。另一方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電阻變大。
肖特基整流管的結構原理與PN結整（zhěng）流管有很大不同。PN結整流管通常（cháng）被稱為結整流管，而金（jīn）屬（shǔ）半（bàn）導管（guǎn）整流管被稱為肖特基整流管。用（yòng）矽平麵工藝製造的鋁矽（guī）肖特基二極管也已問（wèn）世，它不（bú）僅可以節約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數的一致性。
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