肖特基二極管是以（yǐ）其發明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型（xíng）半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金屬-半導體接觸形（xíng）成（chéng）金屬-半（bàn）導體結的原（yuán）理。因（yīn）此，SBD也被稱為金屬半導（dǎo）體(接觸)二極管或表麵勢壘（lěi）二極管，它是一種（zhǒng）熱載流（liú）子二極管。
肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等（děng）)製成的金屬半導體器件。)A作為正電極（jí），N型（xíng）半導體B作為（wéi）負電極，並利用在兩者的接觸表麵上形成的勢壘的整流（liú）特性。因為在N型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中隻有非常少量（liàng）的自由電子（zǐ），所以（yǐ）電子從高濃度（dù）的B擴散到低濃（nóng）度的A。顯然，在金屬A中沒有（yǒu）空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼續從B擴散到A，B表麵上的電子濃度逐漸（jiàn）降低，表麵的電中性（xìng）被破壞，從而形成電場方向為B A的勢壘。然而，在該電場的（de）作用下，A中的電子也將產生從A到B的漂（piāo）移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度（dù）的空間電荷區（qū）時，電場（chǎng）引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴（kuò）散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘（lěi）。
典型的肖（xiāo）特基整流器的內部電路結構基於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和（hé）其他材料製成，以形成阻擋層。二氧（yǎng）化矽（guī）(二氧化矽)用於（yú）消除邊緣區域的電場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通電阻，並且（qiě）其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下麵形成一個氮（dàn）陰極層，以降低陰極的接觸電阻。如圖所示，通過調整結構參數，在N型襯底和陽極金屬（shǔ）之間形成肖特基勢（shì）壘。當正向（xiàng）偏置電壓施加（jiā）到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，並且N型（xíng）襯底連（lián）接到電源的（de）陰（yīn）極)，肖特基勢壘（lěi）層變得更窄（zhǎi），並且其內部電阻變得更小。另一方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內（nèi）部電阻變大。
肖特基（jī）二極管的結構原理與PN結整流（liú）管有很大不同。PN結整（zhěng）流管通常被稱為結整流管，而金屬半導管整流管被（bèi）稱為肖特基整流管。用矽平麵工藝製造的鋁矽（guī）肖特（tè）基二（èr）極管也已問世（shì），它不僅可以節約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數的一致性。
上述所講解的就是
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