中（zhōng）芯國際新增多條專（zhuān）利信息，其中一（yī）條發明專利名稱（chēng）為“晶圓的（de）清洗方法”，公（gōng）開號為CN111584340B，法律狀態為已獲授權。

專利摘要顯示，一種晶圓的清洗方（fāng）法，包括以下步驟：提（tí）供（gòng）晶圓；清洗所述晶圓表麵，清洗後（hòu）的所述晶圓表麵呈正電（diàn）性，晶圓表麵殘留物（wù）具有負電性；調（diào）節所述晶圓表麵電性或所述殘留物的電性，使所（suǒ）述晶（jīng）圓表（biǎo）麵和所述殘（cán）留（liú）物的呈相同電性；對所述晶（jīng）圓表麵（miàn）進行（háng）幹（gàn）燥，去除所述殘留物。根據同性相斥（chì）的原理，經過調節後所述殘留物與所述（shù）晶圓表麵電性相同，因此所述殘留物不會粘附在所述晶圓的表麵，而是懸浮在晶圓表麵的液膜內。在後續的幹燥過程中，懸浮在液膜內的殘留物會隨著液膜一起被去除，提高了產品良率。

中芯國際指出，目前在（zài）半（bàn）導體器件的的製造（zào）工藝（yì）中，經常會在具有疊層結構的半導體器件表麵上形成（chéng）凸凹不平（píng）的結構，通常（cháng）使用化學機械研磨（CMP）工（gōng）藝平整凸凹不平的（de）表麵。化學（xué）機械研磨（mó）亦稱為化學機械拋光，是目（mù）前機（jī）械加工中唯（wéi）一可以實現表麵全局平坦（tǎn）化的技術。化學機械研磨工藝中，一般是把芯（xīn）片放在（zài）旋轉的研磨墊（pad）上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒（例（lì）如（rú）SiO顆粒）的研磨液（slurry），在（zài）化學腐蝕與磨削移（yí）除的交互作（zuò）用下進行平坦化。在化學機（jī）械研磨工藝之（zhī）後，研磨液中的顆粒成為（wéi）缺陷微粒存在於晶圓表麵，因此必須從晶圓表麵完全除去才能保持半導（dǎo）體器件的可靠性和生產線的清（qīng）潔度。鑒於此，實有必要提出一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果，從而提高產品（pǐn）的良率。