上海維安（WAYON），作為電路（lù）保護與功率控（kòng）製解決方案的（de）領先提供商，專注於電路保護元（yuán）器件、功率半導體分立器件及模擬集成電路（lù）的（de）設計、製造與銷售。其中，其MOS管係列產品在行業內享有盛譽，特別是WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR這三款超結MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域（yù），深受市場（chǎng）歡迎。以其出色的特性，成（chéng）為眾多電（diàn）子工程師和設計師的理想選擇。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N溝道超結MOSFET，專為高電壓（yā）、高功率應用設（shè）計。其主要參數包（bāo）括：

• 封裝：TO-247，這種封裝形（xíng）式確保了良好的（de）散熱性（xìng）能和機械強度，適合高功率應用。

• 漏源電壓（VDS）：650V，表（biǎo）明其能（néng）承受高達650V的電壓，適用於高（gāo）壓電路。

• 漏極電流（ID）：在25℃下可達36A，表明其在大電流條件下仍能（néng）穩定工作。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時，僅（jǐn）為0.105Ω，低導通（tōng）電阻有助於減少功耗（hào），提高效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為4V，較低的開啟電壓意味（wèi）著更低的驅動需求（qiú），適（shì）用於多種驅動電路。

WMJ36N65F2因其出色的電氣特性和熱穩定性，能夠（gòu）快（kuài）速響應電路中的信號變化，從而提升整（zhěng）個係統的工作速度。廣泛應用於開關電源、電機驅動、逆變器及太陽能逆變（biàn）器等高電（diàn）壓、大電流（liú）場景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同樣是上海維安推出的一款高性能N溝（gōu）道超結（jié）MOSFET，其主要特點包括：

• 封裝：同（tóng）樣采用TO-247封裝，保證了良（liáng）好的散熱和機械性能（néng）。

• 漏源電壓（VDS）：與WMJ36N65F2相同，均為650V，適用於高壓環境。

• 電（diàn）氣特性：雖（suī）然具體參數可能因批次（cì）不同而略有差異，但整體性能（néng）與WMJ36N65F2相近，適（shì）合類似的應用場景（jǐng）。

在導通電阻（zǔ）方麵，WMJ53N65F2 進一步優化（huà），實現了更低的阻值，從而在大功率工作條件下依然能夠保持高（gāo）效的能量（liàng）轉換。其快速的（de）開關（guān）速度和良好的熱穩定性，使其在電源管理、電機（jī）驅動等領域（yù）表（biǎo）現出色。WMJ53N65F2憑（píng）借（jiè）其優異的電氣性能和穩定性，在電力電子領域有著（zhe）廣泛的應用，尤其是（shì）在需要高可靠性和高效（xiào）率的電源係統中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作為維安MOS管係列中的高端（duān）產品（pǐn），其性能參數更為突出：

• 漏極電流（ID）：在25℃下高達99A，遠高（gāo）於WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，適（shì）用（yòng）於更大電流（liú）的應用場景。

• 導（dǎo）通電（diàn）阻（RDS(on)）：在VGS=10V時僅為0.03Ω，是這（zhè）三款產品中最低的，進一步降低了導通損（sǔn）耗，提高（gāo）了係統效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V，同樣保持了（le）較低的開啟電壓，便於驅動。

WMJ90N65SR憑借（jiè）其高電流承載能力和極低（dī）的導通電阻，特別（bié）適用於（yú）對功率要求極高的應用：大功（gōng）率電源、電動汽車充電站、工業逆變器等（děng）高要求的應用領域。

無論是（shì） WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 還是 WMJ90N65SR，上海（hǎi）維安在設計（jì）和製造過程中都嚴格遵循了高質量標準（zhǔn），確（què）保了（le）產品的穩定性和可靠性（xìng）。這些 MOS 管不僅在性能上表現出（chū）色，而且在封裝形式上也提供了多種選擇，以（yǐ）滿足不同客戶的安裝和使用需求。