0769-21665206
137-2836-0298

鼎堅

當前位置：首頁 » 新聞中心（xīn） » 行業動態

首頁 » 新聞（wén）中心» 行業動態

維（wéi）安高壓超結MOSFET，助力解決LED電源浪湧。

LED作為（wéi）新型照明光源，具有高效節能、工作壽命長等優點，目前已廣泛使用於LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景（jǐng）。LED恒（héng）流驅動特征（zhēng）需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源（yuán）一般采用單級PFC的拓撲。

1.png

如圖一所示，單級PFC的拓（tuò）撲結（jié）構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容（róng），在遭遇雷擊浪湧時，浪湧能量（liàng）很容易傳輸到MOSFET上，高壓MOSFET VDS易過電（diàn）壓，此時MOSFET很容易發生雪崩現象（xiàng）。在開關電源中，研（yán）發工程師要求MOSFET盡可能（néng）少（shǎo）發生或不發生雪崩。

雪崩是（shì）指MOSFET上的電壓（yā）超過漏源極額定耐壓並發（fā）生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的（de）安全（quán）工作區示意圖，圖中紅色標線為安全工作區的右邊界。雪（xuě）崩發生（shēng）時（shí），漏源兩端的電壓超過額定BVDSS，並伴隨有電流流過漏源（yuán）極，此（cǐ）時MOSFET工作在此邊界的右邊，超出安全工作區（SOA）。

2.png

圖二 某600V MOSFET安（ān）全工作（zuò）區（SOA）

如（rú）圖三所示（shì）雪崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區（qū）， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測（cè）試的標準電路，右圖為雪崩期間（jiān）的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電流（liú）同時存在（zài），其產生的瞬時（shí）功耗達到數KW，會大大影響整個電源的可靠（kào）性。且雪崩期間（jiān），必（bì）須保證其溝道溫度不超（chāo）過額定溝道溫度，否則容（róng）易導（dǎo）致器件過溫失效。

3.png

圖三 雪崩測量電路及波形（xíng）

在LED驅動電源，工業控製輔助電源等應用中（zhōng），電源工程師在設（shè）計（jì）浪湧防護時（shí），可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量擋在AC 輸入端，讓（ràng）輸入端口的MOV防護器件來吸收，避（bì）免MOSFET超過安全（quán）工（gōng）作區。這樣可以大（dà）大提高整機電源的浪湧防護（hù）能力。

LED作為21世紀的綠色照明產（chǎn）品，正在大量取代傳統的光（guāng）源。依托（tuō）龐大的LED市場（chǎng），國產器件（jiàn）在（zài）SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛力極大。維安結合市場和客戶的需求，在產品工藝、封裝上持續創新，針對（duì）LED照明領域通用的800V以上耐壓（yā）的規格，在產品係列、規格尺寸上也更加齊（qí）全（quán）。那（nà）麽，應該如何避免MOSFET應用（yòng）時的雪崩破壞呢？從浪湧防（fáng）護的角度（dù）來說，電源工程師可以增加AC輸入（rù）端浪湧防護元件的規格，使AC前端（duān）器件防護元件吸收掉絕大部分浪湧能量，降低浪湧殘壓，如增（zēng）加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以（yǐ）及增加RCD浪湧吸收電路等。另外，亦可選擇更高（gāo）電（diàn）流ID或（huò）者更高耐壓規（guī）格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往（wǎng）往意味著更高的成本，故而，選擇更高耐壓規格成為一種更簡（jiǎn）易安全且極具性價（jià）比的方案。

維（wéi）安(WAYON)是電路保護（hù）元器件及功率半導體提供商（shāng）。WAYON始終（zhōng）堅持（chí）“以客戶為導（dǎo）向，以技（jì）術為（wéi）本，堅持艱苦奮鬥”的核心價值觀。致力於通過技術（shù）創新引領市場，努力（lì）成為全球電路保護元器件（jiàn）及功率半導體的領先品牌。

分享到：
回到頂部（bù） 電話谘詢 在（zài）線（xiàn）地圖 返回首頁