肖特基二極管通稱（chēng）SBD，它並不是運用PN結基本原理製做的，它是以金屬材料為正級，以N型半（bàn）導體為負級，運用（yòng）二者表麵上（shàng）產（chǎn）生的勢壘（lěi）具（jù）備整流器特點而做（zuò）成的一種半導體元器件，是一種熱載流（liú）子二（èr）極管，肖特基二極（jí）管在電源電路中主要是作（zuò）整流二極管、續流二極管、維護二極管等，關鍵用在低壓、大電流量的電源電路中，如電源變壓（yā）器、軟啟動器、逆變電源、光纖通信。 肖特基二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導體B為負級，運用二者表麵上產（chǎn）生的勢壘具備整流器特（tè）點而做成的金屬材（cái）料-半導體元器件。由於N型半導體中存有著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量（liàng）的自由（yóu）電荷（hé），因此 電子（zǐ）器件便從濃度值高（gāo）的B中往濃度值低的A中外擴散。
顯而易見，金屬材料A中沒有空化，也就不（bú）會有空化自A向B的外擴散健身運動。伴隨著電子（zǐ）器（qì）件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減（jiǎn）少，表層電荷平衡（héng）被毀壞，因此就產生（shēng）勢壘，其電場方向為B→A。但在該靜（jìng）電（diàn）場功效之中，A中的電子（zǐ）器（qì）件也會造成從A→B的飄移健身運動，進而（ér）消弱了因為外擴散健身運（yùn）動而產生的靜電場。當創（chuàng）建起一定總寬的空間電荷區（qū）後，靜電場造成的電子器件飄移健身運動和濃（nóng）度值不一（yī）樣造成的電子器件（jiàn）外擴散健身運動做到相對性的（de）均衡，便產生（shēng）了肖特基勢壘。
典型性的肖特基（jī）整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底，在上麵（miàn）產生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應用鉬或鋁等原材料做成阻（zǔ）檔層。用二氧化矽（SiO2）來清除邊沿地區的靜電場，提升水管的抗壓值（zhí）。
N型襯底具備不大的通態電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯（chèn）底下麵產（chǎn）生（shēng）N+負極層，其功效是減少負極（jí）的回路電阻。根據優化結構主要參數，N型襯底和陽極氧化金屬（shǔ）材料中間便產生肖特基勢壘，如下（xià）圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽極氧化金屬材料插線正級，N型（xíng）襯底插線負（fù）級）時，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮小；相反，若在（zài）肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時，肖特基勢壘層則變大，其內電（diàn）阻增大。
上（shàng）述所講解的就是
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