碳化（huà）矽二極管比PN結（jié）元器件的個人行為特點更像一個理想化的電源開關。肖特基二極管最重要的2個性能參數便是它的（de）低反（fǎn）向恢複正電荷(Qrr)和它的修複軟化係數。低Qrr在二極管工作電壓換為反方向參考點時，關掉過程中所需時（shí）間，即反向恢複時間trr大大縮短。下列列出肖特基二極管trr低於（yú）0.01彼此（cǐ）之間。有利於用以高頻率範疇，有材料詳細介紹其輸出（chū）功率達到1MHz(也是有報導達到100GHz)。高（gāo）軟化係數會降（jiàng）低二極管關掉所造成的EMI噪音，減少（shǎo）調速實際操作影響。

　　碳化矽二極管還有一個比PN結元（yuán）器件優異的指標值是正指導接電源放低，具備低的通斷耗損（sǔn）。碳化矽（guī）二極管也是有2個缺陷，一是反方向抗（kàng）壓VR較低（dī），一般僅有100V上下（xià）;二是反方向泄露電流IR很大。

　　碳化矽二（èr）極管是貴重金屬（金、銀（yín）、鋁、鉑等）A為正（zhèng）級，以N型半導體B為負級（jí），運用二者（zhě）表麵上產生的勢壘具（jù）備整流器特點而做成的金屬材料-半導體元器（qì）件。由（yóu）於N型半導體中存有著很多的電子器件，貴重金屬中僅有（yǒu）少量的自（zì）由（yóu）電荷，因此 電子器件便從濃度（dù）值高的B中往濃度值低的A中外擴散（sàn）。顯而易見，金屬材料A中（zhōng）沒有（yǒu）空化，也就（jiù）不會有空化（huà）自A向B的（de）外擴散健身運動。伴隨（suí）著電子器件持續從（cóng）B外（wài）擴散到A，B表層電子器件濃（nóng）度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產生勢壘，其電場方向為B→A。但在該靜電場功效之中，A中（zhōng）的電子器件也會造成從A→B的飄移健身運動，進而消弱了（le）因為外擴散健（jiàn）身（shēn）運動而產生的靜電場。當（dāng）創建（jiàn）起一定總寬的空間電荷區後，靜電場造（zào）成的電子器件飄移健身運動和濃度值不（bú）一樣造成的電子（zǐ）器件外擴散健身運動做到相對性的均衡，便產生了肖特基勢（shì）壘。

　　典型性的肖（xiāo）特基（jī）整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底，在上麵產生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化（huà）應用鉬或鋁等（děng）原材（cái）料做成阻檔層。用二氧化矽（SiO2）來清除邊沿地（dì）區的靜電場，提升水（shuǐ）管的抗壓值。N型襯底（dǐ）具（jù）備不大的通態電阻器，其夾雜濃度值（zhí）較H-層要高100%倍。在襯底下麵產生N+負極層，其（qí）功效是減少負極的回路電阻。根據優化結構主要參數，N型（xíng）襯底和陽極氧化金屬材料中間便產生（shēng）肖特基勢壘，如下圖（tú）所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽（yáng）極氧化金屬材料插線（xiàn）正級，N型襯底插線負級）時，肖特基勢（shì）壘層變（biàn）小（xiǎo），其內電阻縮小；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時，肖特基勢壘層則（zé）變大，其內電阻增大。

　　上述所講解（jiě）的就是碳化矽二極管與肖（xiāo）特基整流管（guǎn）的原理區別，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了（le）解（jiě）更多關於碳化矽二極管的相關信息的話，歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢，我們將竭誠為您提供優（yōu）質的服務！