由愛集微主辦，張江高科（kē）協辦的《後摩爾時代（dài）下第三代半導體的技術（shù）趨勢（shì）》論壇於（yú）上海舉辦，邀請到來自第三代半導體產業（yè）鏈各環節廠商，電動車、快充、新型顯示廠商，以及產業研究學者，行業分析師等，共同探討（tǎo）行業發展趨勢。

在論壇上，泰科天潤半導（dǎo）體科技（北京）有限公司（下稱“泰科（kē）天潤”）營（yíng）銷（xiāo）副總秋琪發表了主題為《碳（tàn）化矽芯片製造為啥這麽難?》的精彩演講。

據（jù）悉，泰科天潤是國內首家第三代半（bàn）導體（tǐ）材料碳化矽功（gōng）率芯片生（shēng）產製造與應用解決方案提供商，亦（yì）是國內最早實現碳化矽器件規模化銷售的企業，該公司目前擁有兩條可以批量化（huà）麵對市場的碳化矽芯片完整生產線。

作為國內銷售規模最大、器件種類最全的碳化矽功率芯片生產企業，秋琪在演講中針對碳化矽芯片製造（zào）工（gōng）藝特點、碳化矽減薄工藝實操（cāo）中碰到的問題以及（jí）國產SiC的（de）發展機（jī）遇等幾（jǐ）個方麵的內容進行了分（fèn）享。

秋琪談到，雖然第三代半導體線寬要求不高，以180納米到（dào）0.5微米為主，卻因材料的特殊（shū）性導（dǎo）致對工藝也有特殊要求；需要將設計和特殊工藝達到最優化，製造難（nán）度其實較大（dà），因此第三（sān）代半（bàn）導體廠家會朝IDM的方向發展。此外，短期內需投入（rù）的資（zī）本規模也較大。

與矽器件相比，碳（tàn）化矽材料由碳（tàn）和矽雙元素組成，不（bú）僅更（gèng）硬（yìng）、更脆、呈（chéng）透（tòu）明狀，同（tóng）時晶格也更難擴散。

秋琪指出，碳化矽芯片製造在（zài）工藝上首先需要通過高能注入並采用（yòng）高溫化退（tuì）火工藝來解決晶格擴（kuò）散的難題（tí）；其（qí）次是要通過高溫氧化（huà）工藝提高氧化（huà）速率，抑（yì）製碳生物量；而碳化矽透（tòu）明（míng）、硬、脆的特（tè）質，也大大增加了（le）設備傳送、取片、幹刻（kè）、挖槽、甩幹、減薄等環節的工藝難度。從而導致碳化矽芯片長（zhǎng）期處（chù）於生產效（xiào）率低、碎片率高、難以量產的局（jú）麵。為了確保設計方案的穩定性和一致性（xìng），勢必（bì）對（duì）廠商的工藝有更加嚴苛的要求。

演講中，秋琪也對當前一些典型應用方案裏碳化矽減薄（báo）工（gōng）藝的實（shí）操（cāo）難點進行剖析（xī）。

秋琪（qí）介紹到，如果要將碳化矽晶圓厚度從350微米減薄至200甚至100微米，僅僅在單步工藝質量要求上，廠商就需要同時兼顧晶（jīng）圓整體（tǐ）無破損（sǔn）、表麵TTV、表麵損傷層厚度、表麵粗糙度以及晶圓片間厚度均勻（yún）性這（zhè）五個方麵。

介於碳化矽的幾大特（tè）性，在生產過程中極易（yì）出現碎片、裂（liè）片，甚至由於粗糙度、翹曲度變化，引起薄膜、退火表麵態狀況變化（huà）。

秋琪認為：“在晶圓（yuán）正麵保護、清洗甩幹、背金成膜、背金退火這些工藝整合環（huán）節，實際產業（yè）化的過程（chéng）中需特別注意貼（tiē）膜撕膜、鍵合結（jié）鍵、高溫浸泡和傳（chuán）送、幹燥（zào）及甩幹條件、蒸發（fā）、濺射以及燈退（tuì）火、激光退火的問題。”

除了（le）製造工藝方麵的經驗分享，秋琪也談起了國（guó）產SiC眼下的發展機遇。

秋（qiū）琪表示，雖然短期內仍以（yǐ）Si為主（zhǔ），SiC難以實現“取代（dài）”，但隨著成本降低，SiC快（kuài）速切入各應用領域，市場呈現出爆發式增長的態（tài）勢，SiC也將逐（zhú）漸侵占Si市場份（fèn）額。

現階（jiē）段，碳化矽主要用（yòng）於電（diàn）動汽車、充電樁、光伏/儲能、電源、電機驅動、UPS以及軌道交通等領域。

目前國內（nèi）SiC二極管已在OBC、充電樁、光伏（fú）、電源、PD快充等領域批量出貨，其中不乏一些行業標杆客戶，而SiC MOSFET由於驗證周期長、產品可靠性、客戶信（xìn）心不足的問題使得導入速度較慢，還處在客戶端可（kě）靠性檢驗與特（tè）性驗（yàn）證階段。

秋琪認為，中美貿易問題使得國產化（huà）更加（jiā）迫切也更符合國家（jiā）和民族需求（qiú），而持續擴（kuò）大（dà）的缺貨浪潮也給國（guó）產（chǎn）器件實現替代創造了機（jī）會。加之國家政策引導和能源產業革（gé）新（xīn）的推（tuī）動，國產SiC將迎來廣闊的發展。